طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان دوهرتی با استفاده از تکنولوژی gaas برای کاربرد های مخابراتی

در این پایان نامه یک تقویت کننده توان دوهرتی در فرکانس مرکزی 2/4ghz با بازدهی بالا طراحی و شبیه سازی شده است. تقویت کننده توان دوهرتی یک روش افزایش بازدهی در تقویت کننده های توان می باشد. در این شبیه سازی از تکنولوژی ommic ed02ah و ترانزیستور های phemt از جنس گالیوم آرسناید استفاده شده است. ویژگی منحصر به فرد تقویت کننده توان دوهرتی ساختار ساده آن می باشد که از دو تقویت کننده ی توان موازی و خطوط انتقال تشکیل شده است. برای مجتمع سازی بهتر مدار، خطوط انتقال تقویت کننده توان دوهرتی توسط اجزای سلفی و خازنی پیاده سازی شد. همچنین در ورودی تراشه از یک تقسیم کننده توان ویلکینسون استفاده شده است. برای بهبود بازدهی ابعاد تقویت کننده کمکی را بزرگتر و توان ورودی بیشتری توسط تقسیم کننده توان به آن اختصاص داده شد. یک مدار r-c موازی در ورودی ترانزیستور ها برای بهبود پایداری آن ها به کار رفته است. تقویت کننده توان دوهرتی طراحی شده دارای بهره توان 17db، بیشینه ی توان خروجی 23dbm و در نقطه فشردگی db–1 توان خروجی dbm 22/6=p1db همچنین بیشینه بازدهی آن برابر %55/5 می باشد.